Международная группа исследователей японского Национального института квантовых наук (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) и радиологии и НИТУ «МИСиС» сообщила о разработке нового материала на основе графена, который должен позволить существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах на базе флеш-памяти. Статья о разработке опубликована в журнале Advanced Materials.
Ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий).
Японским исследователям во главе с Сейджи Сакаем впервые удалось получить слой графена атомарной толщины на слое полуметаллического ферромагнитного материала и измерить его свойства.
В исследованной гетероструктуре графен не вступает в химическое взаимодействие с магнитным материалом, что позволяет сохранить его уникальные проводящие свойства, отмечают исследователи.
Ранее в устройствах магнитной памяти не использовался графен: при попытках изготовления таких слоистых материалов атомы углерода вступали в реакцию с магнитным слоем, что приводило к изменению его свойств. Благодаря тщательному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более тонкий образец, по сравнению с предшествующими аналогами. Это, в свою очередь, может позволить существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их физических размеров.
Источник: ko.com.ua
