Компания TSMC опубликовала новый квартальный отчёт, в котором раскрыла особенности производства первых процессоров, изготовленных по 3-нанометровой технологии N3. Несмотря на опасения аналитиков о переносе разработки на неопределённый срок из-за пандемии COVID-19, представители чипмейкера заверили, что релиз новинок состоится вовремя.
Для производства чипов будут использоваться транзисторы FinFET, плотность которых составит 250 миллионов на один квадратный миллиметр. Для сравнения, в 7-нанометровом процессоре Kirin 990 5G от HUAWEI эта цифра равна «всего» 90 миллионам на той же площади.
Таким образом, по плотности транзисторов решения на базе N3 превзойдут 7-нм модели в 3,6 раза. При этом их быстродействие возрастёт не менее чем на 10% сравнительно с 5-нанометровыми чипами, а вот потребление энергии, напротив, уменьшится.
Первые тестовые образцы 3-нм процессоров появятся в 2021-м. Изучив характеристики инженерных прототипов и проведя серию исследований, TSMC приступит к массовому производству чипов уже во второй половине 2022 года.
Источник: 4pda.ru
